čipy

Vědci představili nanovrstvy kobaltového silicidu (CoSi), které při zmenšování tloušťky paradoxně snižují elektrický odpor. Při tloušťce kolem 20 nanometrů byl materiál podle měření desetkrát méně odporový než stejně silný měděný spoj při pokojové teplotě a unesl až stonásobně vyšší proudovou hustotu. CoSi tak může řešit problém měděných propojení v čipech, kde se elektrony v extrémně tenkých vodičích rozptylují o povrchy. Testy ukázaly přenos signálu s malými ztrátami do 40 GHz i slučitelnost s běžnou křemíkovou technologií CMOS. Materiál navíc odolal vysokým proudům a teplotě 450 °C po dobu 200 hodin.

Výzkumný tým z Texaské univerzity v Austinu vyvíjí takzvané neuronové sítě bez vah, které místo násobení vstupů uloženými váhami používají propojené vyhledávací tabulky. U vybraných úloh, jako je sledování zdravotních údajů, rozpoznávání aktivity či aktivačních slov, mají být až tisíckrát menší a úspornější při srovnatelné přesnosti. Díky malé velikosti by mohly běžet přímo v bateriově napájených senzorech, což omezuje přenos citlivých surových dat do cloudu. Výzkumníci už nahradili část architektury transformerů, která tvoří zhruba polovinu modelu, a chtějí postup rozšířit i na jazykové modely. Technologie by mohla umožnit AI i na ohebných a jednoduše vyráběných čipech s omezeným počtem logických hradel.

Vědci zkoumají topologické Weylovy polokovy jako možnou náhradu měděných propojení v stále menších čipech. Měď pod šířkou zhruba 40 nanometrů ztrácí vodivost kvůli častějším srážkám elektronů. Nanodrátky z arsenidu niobu naopak při zmenšování průměru vykázaly nižší elektrický odpor, protože se více uplatňuje chráněné vedení po povrchu materiálu. Drátek široký 40 nanometrů měl při pokojové teplotě asi o 70 procent nižší rezistivitu než objemový monokrystal. Materiál zatím nepřekonal nejlepší desetinanometrové měděné spoje, ale podle odhadů by je mohl předčit kolem průměru 12 nanometrů. Praktické využití komplikuje toxicita arsenu i výrobní postup neslučitelný se současným zpracováním čipů.