Vědci představili nanovrstvy kobaltového silicidu (CoSi), které při zmenšování tloušťky paradoxně snižují elektrický odpor. Při tloušťce kolem 20 nanometrů byl materiál podle měření desetkrát méně odporový než stejně silný měděný spoj při pokojové teplotě a unesl až stonásobně vyšší proudovou hustotu. CoSi tak může řešit problém měděných propojení v čipech, kde se elektrony v extrémně tenkých vodičích rozptylují o povrchy. Testy ukázaly přenos signálu s malými ztrátami do 40 GHz i slučitelnost s běžnou křemíkovou technologií CMOS. Materiál navíc odolal vysokým proudům a teplotě 450 °C po dobu 200 hodin.
- Pro vkládání komentářů se musíte přihlásit