Vědci z Carnegie Mellon University ukázali, že anomální Hallův jev nemusí vznikat pouze při magnetickém poli kolmém k tenké vrstvě materiálu. V jejich dvourozměrné heterostruktuře se elektrická odezva objevila i tehdy, když magnetizace působila v rovině vrstvy. Výzkumníci spojili ultratenký TaIrTe4 s magnetickou vrstvou Cr2Ge2Te6, čímž upravili symetrii materiálu a přenesli do nemagnetické vrstvy magnetické vlastnosti. Objev by mohl vést k tenkým magnetickým senzorům schopným měřit pole ve více směrech. Zatím však jde o laboratorní experiment prováděný při kryogenních teplotách; další výzkum má ověřit podobné chování v jiných materiálech a blíže pokojové teplotě.
- Pro vkládání komentářů se musíte přihlásit